Sustratos de vidrio para aplicaciones de alta precisión

Sustratos de vidrio TGV

Sustratos de vidrio con estructuras pasantes para interconexión eléctrica vertical e integración de paquetes de alta densidad.

Sustratos de núcleo de vidrio

Soluciones de núcleo de vidrio rígido y dimensionalmente estable para estructuras de encapsulado avanzadas e interconexión multicapa.

Sustratos de vidrio metalizado

Estructuras de circuitos personalizados de cobre o metal formadas sobre superficies de vidrio para aplicaciones electrónicas, de sensores y ópticas.

Sustratos de vidrio personalizados

Sustratos de vidrio específicos para cada aplicación, con espesores, dimensiones, vías, metalización y patrones de circuitos personalizados.

Sustratos de vidrio para aplicaciones electrónicas avanzadas

Los productos electrónicos y semiconductores modernos requieren plataformas de sustrato estables para la formación precisa de circuitos, la alineación de capas y la integración de componentes.

El vidrio proporciona una base lisa, rígida y eléctricamente aislante que puede soportar circuitos finos, vías pasantes a través del vidrio y estructuras de metalización personalizadas.

ALCANTA desarrolla soluciones de sustratos de vidrio de acuerdo con los requisitos mecánicos, eléctricos, ópticos y de montaje de cada aplicación.

✓ Alta estabilidad dimensional

✓ Superficie lisa para una formación precisa del circuito

✓ Capacidad de paso a través del cristal

✓ Metalización y dimensiones personalizadas

Sustrato de vidrio absolics

Soluciones de sustrato de vidrio

Interconexión vertical a través del vidrio

Las vías pasantes de vidrio proporcionan conexiones eléctricas entre las dos caras de un sustrato de vidrio y admiten estructuras de encapsulado multicapa compactas.

Las dimensiones, el paso, la relación de aspecto y la metalización de las vías se evalúan en función del espesor del vidrio seleccionado y la aplicación.

Aplicaciones típicas:

  • Empaquetado avanzado de semiconductores
  • Intercaladores de vidrio
  • Módulos multichip

Capacidad de fabricación de sustratos de vidrio

Material de baseVidrio electrónico para aplicaciones específicas
Línea/espacio mínimoHasta 10 μm / 10 μm
Diámetro mínimo víaHasta 65 μm
Recuento de capas2–16 capas
Tamaño máximo del panelHasta 510 × 610 mm
Espesor típico0.20 – 2.00 mm
Relación de aspecto del agujero perforadoHasta 12: 1
Vía EstructuraVías pasantes a través del vidrio y aberturas personalizadas
MetalizaciónPersonalizado según la aplicación.
Acabado de la superficieENIG o Oro pulverizado
Dimensiones del sustratoPersonalizado
InspecciónInspección dimensional, eléctrica y visual
Soporte de producciónPrototipo y producción en serie

La capacidad de fabricación real depende de la composición del vidrio, el grosor, las dimensiones del panel, la estructura del circuito, el paso de las vías, la metalización y los requisitos de acabado superficial.

Todas las especificaciones finales se confirman mediante una revisión de ingeniería específica del proyecto.

Desde la revisión del diseño hasta la producción.

Revisión de ingeniería

Evaluamos el material del vidrio, el espesor del sustrato, las dimensiones, la estructura de las vías, la metalización, el diseño del circuito y los requisitos de ensamblaje.

Validación de prototipo

Los sustratos prototipo se fabrican e inspeccionan para verificar las dimensiones, la formación del circuito, las vías, la metalización y la compatibilidad con la aplicación.

Repetición de producción

Los productos validados pasan a la producción controlada, repetitiva o en volumen, con requisitos de proceso e inspección definidos.


Preguntas frecuentes sobre sustratos de vidrio

Un sustrato de vidrio es una capa delgada y plana de vidrio que se utiliza como material de base para dispositivos semiconductores, en particular en aplicaciones de empaquetado. Proporciona aislamiento eléctrico, estabilidad y soporte para componentes como circuitos integrados y microchips.

Los sustratos de vidrio se utilizan en el encapsulado de semiconductores debido a su baja constante dieléctrica, alta planitud, bajo coeficiente de expansión térmica (CTE) y excelente estabilidad térmica, lo que los hace ideales para interconexiones de alta densidad y aplicaciones de alta frecuencia.

Los sustratos de vidrio ofrecen una estabilidad térmica superior, baja pérdida dieléctrica, mayor densidad de E/S y menor deformación, lo que los hace más adecuados para aplicaciones de empaquetado avanzado y alta frecuencia en comparación con materiales tradicionales como sustratos de silicio, orgánicos y cerámicos.

Las vías a través de vidrio (TGV) son interconexiones verticales realizadas a través de un sustrato de vidrio, lo que permite una integración de alta densidad en el empaquetado 3D. La tecnología TGV mejora el rendimiento al reducir la pérdida de señal y mejorar la disipación térmica.

El bajo coeficiente de expansión térmica (CTE) de los sustratos de vidrio coincide estrechamente con el del silicio, lo que reduce el estrés térmico durante los ciclos de calentamiento y enfriamiento, mejorando así la confiabilidad y el rendimiento generales del paquete de semiconductores.

El sustrato de núcleo de vidrio de Intel proporciona una mayor densidad de E/S, un rendimiento térmico mejorado y una deformación reducida para el empaquetado basado en chiplets, lo que permite soluciones de semiconductores más eficientes y escalables para aplicaciones de inteligencia artificial y computación de alto rendimiento.

Los actores clave en la industria de sustratos de vidrio incluyen Intel, Corning, Absolics, DNP, SKC y TSMC, que lideran el desarrollo y la fabricación de sustratos de vidrio de alto rendimiento para aplicaciones de semiconductores.

Los desafíos incluyen mantener la precisión, lograr espesores ultradelgados sin comprometer el rendimiento, asegurar la uniformidad en la creación de vías a través del vidrio (TGV) y gestionar los altos costos de producción asociados con las técnicas avanzadas de modelado de líneas finas.

 La baja pérdida dieléctrica y la estabilidad de alta frecuencia de los sustratos de vidrio los hacen ideales para aplicaciones 5G e IA. Su capacidad de interconexión de alta densidad respalda los complejos requisitos de estas tecnologías, lo que permite una transmisión de señales más rápida y un procesamiento eficiente.