Glassubstrate für hochpräzise Anwendungen

TGV-Glassubstrate

Glassubstrate mit durchkontaktierten Glasstrukturen für vertikale elektrische Verbindungen und hochdichte Gehäuseintegration.

Glaskernsubstrate

Starre und formstabile Glaskernlösungen für fortschrittliche Gehäusestrukturen und Mehrschichtverbindungen.

Metallisierte Glassubstrate

Kundenspezifische Kupfer- oder Metallschaltungsstrukturen auf Glasoberflächen für elektronische, Sensor- und optische Anwendungen.

Kundenspezifische Glassubstrate

Anwendungsspezifische Glassubstrate mit kundenspezifischen Dicken, Abmessungen, Durchkontaktierungen, Metallisierungen und Schaltungsmustern.

Glassubstrate für fortschrittliche elektronische Anwendungen

Moderne Elektronik- und Halbleiterprodukte benötigen stabile Substratplattformen für die präzise Schaltungsbildung, die Ausrichtung der Schichten und die Integration der Komponenten.

Glas bietet eine glatte, starre und elektrisch isolierende Basis, die feine Schaltungen, Durchkontaktierungen und kundenspezifische Metallisierungsstrukturen tragen kann.

ALCANTA entwickelt Glassubstratlösungen, die den mechanischen, elektrischen, optischen und Montageanforderungen jeder Anwendung entsprechen.

✓ Hohe Dimensionsstabilität

✓ Glatte Oberfläche für präzise Schaltungsbildung

✓ Durch-Glas-Durchlichtfähigkeit

✓ Kundenspezifische Metallisierung und Abmessungen

Absolics Glassubstrat

Glassubstratlösungen

Vertikale Verbindung durch Glas

Durchkontaktierungen durch Glas ermöglichen elektrische Verbindungen zwischen den beiden Seiten eines Glassubstrats und unterstützen kompakte Mehrschichtgehäusestrukturen.

Die Abmessungen der Durchkontaktierungen, der Rasterabstand, das Seitenverhältnis und die Metallisierung werden entsprechend der gewählten Glasdicke und Anwendung bewertet.

Typische Anwendungen:

  • Fortschrittliche Halbleiterverpackungen
  • Glas-Interposer
  • Multi-Chip-Module

Fertigungskapazitäten für Glassubstrate

GrundwerkstoffeAnwendungsspezifisches elektronisches Glas
Mindestzeilen-/AbstandsregelungBis hinunter zu 10 μm / 10 μm
Minimaler Via-DurchmesserBis hinunter zu 65 μm
Ebenenanzahl2–16 Schichten
Maximale PanelgrößeBis zu 510 × 610 mm
Typische Dicke0.20 – 2.00 mm
Seitenverhältnis des BohrlochsBis zu 12: 1
Über die StrukturDurchkontaktierungen und kundenspezifische Öffnungen
MetallisierungAngepasst an die Anwendung
OberflächenfinishENIG oder Sputtered Gold
SubstratabmessungenKundenspezifische
InspektionMaß-, elektrische und Sichtprüfung
ProduktionshilfePrototypen- und Serienproduktion

Die tatsächliche Fertigungskapazität hängt von der Glaszusammensetzung, der Dicke, den Abmessungen der Paneele, der Schaltungsstruktur, dem Durchkontaktierungsabstand, der Metallisierung und den Anforderungen an die Oberflächenbeschaffenheit ab.

Alle endgültigen Spezifikationen werden durch eine projektspezifische technische Prüfung bestätigt.

Von der Designprüfung bis zur Produktion

Technische Überprüfung

Wir bewerten das Glasmaterial, die Substratdicke, die Abmessungen, die Durchkontaktierungsstruktur, die Metallisierung, das Schaltungsdesign und die Montageanforderungen.

Prototypenvalidierung

Es werden Prototypsubstrate hergestellt und geprüft, um die Abmessungen, die Schaltungsstruktur, die Durchkontaktierungen, die Metallisierung und die Anwendungskompatibilität zu verifizieren.

Wiederholungsproduktion

Validierte Produkte gehen in die kontrollierte Serien- oder Großserienproduktion mit definierten Prozess- und Prüfanforderungen über.


Häufig gestellte Fragen zu Glassubstraten

Ein Glassubstrat ist eine dünne, flache Glasschicht, die als Basismaterial für Halbleiterbauelemente, insbesondere in Verpackungsanwendungen, verwendet wird. Es bietet elektrische Isolierung, Stabilität und Unterstützung für Komponenten wie integrierte Schaltkreise und Mikrochips.

Glassubstrate werden aufgrund ihrer niedrigen Dielektrizitätskonstante, hohen Ebenheit, ihres niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) und ihrer ausgezeichneten thermischen Stabilität in Halbleitergehäusen verwendet, was sie ideal für hochdichte Verbindungen und Hochfrequenzanwendungen macht.

Glassubstrate bieten eine überlegene thermische Stabilität, einen geringen dielektrischen Verlust, eine höhere I/O-Dichte und eine geringere Verformung, wodurch sie im Vergleich zu herkömmlichen Materialien wie Silizium, organischen und keramischen Substraten besser für fortschrittliche Verpackungs- und Hochfrequenzanwendungen geeignet sind.

Through-Glass Vias (TGV) sind vertikale Verbindungen durch ein Glassubstrat, die eine hochdichte Integration in 3D-Verpackungen ermöglichen. Die TGV-Technologie verbessert die Leistung, indem sie den Signalverlust verringert und die Wärmeableitung verbessert.

Der niedrige Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) von Glassubstraten entspricht weitgehend dem von Silizium. Dadurch wird die thermische Belastung während der Heiz- und Kühlzyklen reduziert und somit die allgemeine Zuverlässigkeit und Leistung des Halbleitergehäuses verbessert.

Das Glaskernsubstrat von Intel bietet eine höhere E/A-Dichte, eine verbesserte Wärmeleistung und eine geringere Verformung für Chiplet-basierte Verpackungen und ermöglicht so effizientere und skalierbarere Halbleiterlösungen für Hochleistungsrechner und KI-Anwendungen.

Zu den wichtigsten Akteuren in der Glassubstratindustrie zählen Intel, Corning, Absolics, DNP, SKC und TSMC, die bei der Entwicklung und Herstellung von Hochleistungsglassubstraten für Halbleiteranwendungen führend sind.

Zu den Herausforderungen gehören die Wahrung der Präzision, das Erreichen ultradünner Dicken ohne Leistungseinbußen, die Gewährleistung der Einheitlichkeit bei der Erstellung von Through-Glass-Via (TGV) und die Bewältigung der hohen Produktionskosten, die mit fortschrittlichen Feinlinien-Strukturierungstechniken verbunden sind.

 Der geringe dielektrische Verlust und die Hochfrequenzstabilität von Glassubstraten machen sie ideal für 5G- und KI-Anwendungen. Ihre hochdichte Verbindungsfunktion unterstützt die komplexen Anforderungen dieser Technologien und ermöglicht eine schnellere Signalübertragung und effiziente Verarbeitung.